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一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备
申请人信息
- 申请人:南京大学; 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
- 申请人地址:210008 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
- 发明人: 南京大学; 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410245701.5 |
| 申请日 | 2024/3/5 |
| 公告号 | CN117822107A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | C30B25/14 |
| 权利人 | 南京大学; 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 |
| 发明人 | 费付聪; 王天奇; 宋凤麒; 顾陆薇 |
| 地址 | 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号; 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-500 |
摘要文本
本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
专利主权项内容
1.一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的设备，其特征在于，包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管为敞口容器并置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。