采用电阻采样且兼容P、N型功率管的电流采样电路
申请人信息
- 申请人:江苏帝奥微电子股份有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市崇州大道60号紫琅科技城8号楼6层
- 发明人: 江苏帝奥微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 采用电阻采样且兼容P、N型功率管的电流采样电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410005161.3 |
| 申请日 | 2024/1/3 |
| 公告号 | CN117517753B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | G01R19/00 |
| 权利人 | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 林潇垄 |
| 地址 | 江苏省南通市崇州大道60号紫琅科技城8号楼6层 |
摘要文本
本发明公开了一种采用电阻采样且兼容P、N型功率管的电流采样电路，包含功率管M1、比例管M2、采样电阻R1、采样电阻R2、采样电阻R3、电阻R4、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10和晶体管M11。本发明采样精度对钳位运放的Vos不敏感，且采样精度与输出电流无关，具有很好的兼容性。
专利主权项内容
1.一种采用电阻采样且兼容P、N型功率管的电流采样电路，其特征在于：包含功率管M1、比例管M2、采样电阻R1、采样电阻R2、采样电阻R3、电阻R4、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10和晶体管M11，功率管M1的漏极与采样电阻R1的一端和采样电阻R2的一端连接并连接电源VIN，采样电阻R1的另一端与比例管M2的漏极和采样电阻R3的一端连接，功率管M1的栅极与比例管M2的栅极连接，功率管M1的源极与比例管M2的源极连接并输出信号VOUT，采样电阻R2的另一端与晶体管M3的源极和晶体管M4的源极连接，采样电阻R3的另一端与晶体管M5的源极和晶体管M10的漏极连接，晶体管M4的栅极与晶体管M5的栅极、晶体管M4的漏极和晶体管M6的漏极连接，晶体管M5的漏极与晶体管M7的漏极和晶体管M3的栅极连接，晶体管M3的漏极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端输出采样电流ISEN，晶体管M6的栅极与晶体管M7的栅极和晶体管M1O的栅极连接并连接第一偏置电压，晶体管M6的源极与晶体管M8的漏极连接，晶体管M7的源极与晶体管M9的漏极连接，晶体管M10的源极与晶体管M11的漏极连接，晶体管M8的栅极与晶体管M9的栅极和晶体管M11的栅极连接并连接第二偏置电压，晶体管M8的源极与晶体管M9的源极和晶体管M11的源极连接并接地。。 （更多数据，详见）