← 返回列表
一种真空镀膜的基体前处理工艺
申请人信息
- 申请人:南通硅胜新材料科技有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市崇川区观音山街道新胜路158号迈普科技园12幢
- 发明人: 南通硅胜新材料科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种真空镀膜的基体前处理工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410109068.7 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117626172A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | C23C14/02 |
| 权利人 | 南通硅胜新材料科技有限公司 |
| 发明人 | 黄吕全 |
| 地址 | 江苏省南通市崇川区观音山街道新胜路158号迈普科技园12幢 |
摘要文本
本发明涉及真空镀膜领域，公开了一种真空镀膜的基体前处理工艺，该工艺包括以下步骤：将基体放入清洁液中，使用超声波去除基体表面的杂质，使用去离子水冲洗基体表面，使用热风对基体进行干燥处理；将干燥后的基体放入活化液中，并使用电解方式使基体表面形成凹凸结构，增加基体表面的比表面积和活性；将活化后的基体放入涂层液中，并使用浸渍方式在基体表面形成均匀的涂层；对基体的参数进行采集，并对基体前处理进行监测。本发明改变基体表面的形貌，使其形成凹凸结构，增加基体表面的比表面积和活性，提高涂层的附着力和稳定性，根据实时的监测数据，动态调整电解条件，使凹凸结构达到预期的效果，同时避免过度电解导致基体表面的损伤。 来自-官网
专利主权项内容
1.一种真空镀膜的基体前处理工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：S1、将需要真空镀膜的基体放入清洁液中，并使用超声波去除基体表面的杂质，且使用去离子水冲洗基体表面，同时使用热风对基体进行干燥处理；S2、将干燥后的基体放入活化液中，并使用电解方式使基体表面形成凹凸结构，增加基体表面的比表面积和活性；S3、将活化后的基体放入涂层液中，并使用浸渍方式在基体表面形成均匀的涂层；S4、对基体的参数进行采集，并对基体前处理进行监测。