一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件
申请人信息
- 申请人:江苏应能微电子股份有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层)
- 发明人: 江苏应能微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410239174.7 |
| 申请日 | 2024/3/4 |
| 公告号 | CN117832093A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 江苏应能微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 李振道; 孙明光; 朱伟东 |
| 地址 | 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层) |
摘要文本
本发明公开了一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件，具体步骤如下：S1：在外延层刻蚀出沟槽，在外延层表面以及沟槽内表面生长底部氧化层，随后在沟槽内沉积源极多晶硅并进行蚀刻；S2：将底部氧化层进行蚀刻，直至底部氧化层的表面与源极多晶硅的表面齐平；S3：在外延层表面、底部氧化层表面以及源极多晶硅表面沉积多晶硅；S4：对多晶硅进行蚀刻形成多晶硅侧壁残留层，并将侧壁位置处的多晶硅蚀刻掉形成残留多晶硅层；S5：在外延层表面以及沟槽内表面氧化形成闸极氧化层；S6：将多晶硅重新填入沟槽内，形成闸极多晶硅。本发明通过增加闸极到汲极间的距离厚度来降低电容Cgd2，以达到减小输入端开关损耗的技术目的。。
专利主权项内容
1.一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，其中沟槽内结构的具体制备步骤如下：S1：采用光刻工艺在外延层(100)刻蚀出沟槽，并在一定温度条件下，在外延层(100)表面以及沟槽内表面生长底部氧化层(101)，随后在沟槽内沉积源极多晶硅(102a)并进行蚀刻处理；S2：将底部氧化层(101)进行蚀刻处理，直至底部氧化层(101)的表面与源极多晶硅(102a)的表面齐平；S3：在外延层(100)表面、底部氧化层(101)表面以及源极多晶硅(102a)表面沉积多晶硅(102b)；S4：采用干蚀刻工艺对多晶硅(102b)进行蚀刻，在沟槽内形成多晶硅侧壁残留层(102c)，并利用湿蚀刻工艺将侧壁位置处的多晶硅蚀刻掉，在底部氧化层(101)上表面的沟槽两侧壁形成残留多晶硅层(102d)；S5：在一定温度条件下，在外延层(100)表面以及沟槽内表面氧化形成闸极氧化层(103)，所述残留多晶硅层(102d)表面局部或者全部同时氧化形成氧化层；S6：将多晶硅重新填入沟槽内，形成闸极多晶硅(102e)。