← 返回列表
太阳能电池及其制备方法
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410060078.6 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117832296A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 汪洋; 陈红; 简磊; 丁留伟; 高富堂 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
摘要文本
本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括：硅基底，硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；磷掺杂多晶硅层和第一钝化层，磷掺杂多晶硅层和第一钝化层依次层叠设置于硅基底的第一表面，第一钝化层包括氮氧化硅层，氮氧化硅层含有非晶氮氧化硅和多晶氮氧化硅。本申请解决了磷掺杂多晶硅层退火晶化制备过程中的起泡问题，具有钝化效果好和转化效率高等特点。
专利主权项内容
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；磷掺杂多晶硅层和第一钝化层，所述磷掺杂多晶硅层和第一钝化层依次层叠设置于所述硅基底的所述第一表面，所述第一钝化层包括氮氧化硅层，所述氮氧化硅层含有非晶氮氧化硅和多晶氮氧化硅。