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太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410118651.4 |
| 申请日 | 2024/1/29 |
| 公告号 | CN117650188A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L31/068 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 陈达明; 柳伟; 胡匀匀; 陈奕峰 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
摘要文本
本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，第一子区与第二导电区相接；第一方向垂直于半导体基底的厚度方向；第一发射极，设于第一面上，且位于第一导电区；绝缘层，设于第一发射极上，且位于第一子区；以及第二发射极，设于第一面上；第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，第一子发射极位于第二导电区，第二子发射极设于绝缘层上；其中，第一发射极与第一子发射极电性导通。本申请能够防止热斑效应。 （来自 ）
专利主权项内容
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；所述半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包括沿所述第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，所述第一子区与所述第二导电区相接；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；第一发射极，设于所述第一面上，且位于所述第一导电区；绝缘层，设于所述第一发射极上，且位于所述第一子区；以及第二发射极，设于所述第一面上；所述第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极位于所述第二导电区，所述第二子发射极设于所述绝缘层上；其中，所述第一发射极与所述第一子发射极电性导通。。 （来自 ）