一种溶体碳化硅晶片清洗装置及其方法
申请人信息
- 申请人:常州臻晶半导体有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 发明人: 常州臻晶半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种溶体碳化硅晶片清洗装置及其方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410195275.9 |
| 申请日 | 2024/2/22 |
| 公告号 | CN117766440A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 常州臻晶半导体有限公司 |
| 发明人 | 潘永志; 郑红军; 张庆云; 陆敏 |
| 地址 | 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东 |
摘要文本
本发明涉及硅晶片清洗技术领域，具体涉及一种溶体碳化硅晶片清洗装置及其方法。本发明提供了一种溶体碳化硅晶片清洗装置，包括：晶片盒、传动柱和两缓冲限位件，所述晶片盒内部中空，晶片适于插入所述晶片盒内；所述传动柱转动设置在所述晶片盒的内底部，所述传动柱适于驱动晶片周向转动；所述缓冲限位件滑动设置在所述晶片盒内，两缓冲限位件相对设置，且两缓冲限位件之间的间距小于晶片的厚度；其中，晶片竖直状插入晶片盒内时，两缓冲限位件适于从两侧与晶片抵接，以减缓晶片的向下移动速度；晶片底壁与传动柱抵接时，两缓冲限位件适于与晶片的上部外壁抵接。
专利主权项内容
1.一种溶体碳化硅晶片清洗装置，其特征在于，包括：晶片盒(1)、传动柱(3)和两缓冲限位件(2)，所述晶片盒(1)内部中空，晶片适于插入所述晶片盒(1)内；所述传动柱(3)转动设置在所述晶片盒(1)的内底部，所述传动柱(3)适于驱动晶片周向转动；所述缓冲限位件(2)滑动设置在所述晶片盒(1)内，两缓冲限位件(2)相对设置，且两缓冲限位件(2)之间的间距小于晶片的厚度；其中，晶片竖直状插入晶片盒(1)内时，两缓冲限位件(2)适于从两侧与晶片抵接，以减缓晶片的向下移动速度；晶片底壁与传动柱(3)抵接时，两缓冲限位件(2)适于与晶片的上部外壁抵接；所述缓冲限位件(2)包括：缓冲板(21)、滑块和复位弹簧(22)，所述缓冲板(21)倾斜设置，所述缓冲板(21)的外端适于凸出所述晶片盒(1)外壁；所述晶片盒(1)侧壁开设有一引导槽(10)，所述引导槽(10)倾斜设置；所述缓冲板(21)的两端分别固定有一滑块，所述滑块滑动设置在所述引导槽(10)内；所述复位弹簧(22)一端固定在滑块上，所述复位弹簧(22)另一端固定在所述晶片盒(1)上；其中，晶片竖直向下移动时，适于推动两缓冲板(21)向斜上方滑动。