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一种液相法生长碳化硅单晶的装置和方法
申请人信息
- 申请人:常州臻晶半导体有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 发明人: 常州臻晶半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种液相法生长碳化硅单晶的装置和方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410144922.3 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117684270A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | C30B29/36 |
| 权利人 | 常州臻晶半导体有限公司 |
| 发明人 | 柯尊斌; 陆敏; 王晗; 王欣 |
| 地址 | 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东 |
摘要文本
本发明涉及碳化硅单晶生产领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置和方法。本发明提供了一种液相法生长碳化硅单晶的装置，包括：坩埚内胆，坩埚内胆内部开设有流通孔；流通孔的底部可拆卸的安装有卸载堵头，坩埚内胆的底部还设置有卸料座；卸料座的内侧壁上开设有若干卸料槽，卸载堵头的侧壁开设有若干排放槽。通过设置卸载堵头和卸料座，并分别开设排放槽和卸料槽，使得控制卸载堵头转动即可控制流通孔开合以及坩埚内胆内的溶液流速。通过设置密封环的引导块，使得卸载堵头在转动时，可同步带动密封环密封卸料座与流通孔之间的间隙。通过转动卸载堵头控制流通孔开合，能够避免堵头需要频繁开合的状态导致堵头损坏，破坏密封。。 （来自 ）
专利主权项内容
1.一种液相法生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，包括：坩埚内胆(1)，所述坩埚内胆(1)顶部呈碗状，以盛放溶液，所述坩埚内胆(1)内部开设有流通孔(11)，所述流通孔(11)沿厚度方向贯穿所述坩埚内胆(1)；所述流通孔(11)的底部可拆卸的安装有卸载堵头(2)，所述坩埚内胆(1)的底部还设置有卸料座(12)，所述卸载堵头(2)的端部贯穿所述卸料座(12)并插入所述坩埚内胆(1)内；所述卸料座(12)的内侧壁上开设有若干卸料槽(13)，所述卸载堵头(2)的侧壁开设有若干排放槽(21)；所述卸载堵头(2)与所述坩埚内胆(1)转动连接；其中所述坩埚内胆(1)排液时，所述卸载堵头(2)转动，以使所述卸料槽(13)与所述排放槽(21)部分重合时，所述坩埚内胆(1)内的溶液先进入卸载堵头，再通过所述排放槽(21)以及卸料槽(13)排出所述坩埚内胆(1)；所述卸载堵头(2)转动至所述卸料槽(13)与所述排放槽(21)重合度最大时，所述坩埚内胆(1)内的液体排放速度最大。