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半导体器件及其形成方法
申请人信息
- 申请人:常州承芯半导体有限公司
- 申请人地址:213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
- 发明人: 常州承芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410078023.8 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117577667A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/737 |
| 权利人 | 常州承芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 邹道华; 刘宇浩; 刘昱玮; 陈俊奇 |
| 地址 | 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号 |
摘要文本
一种半导体器件及其形成方法，其中结构包括：第一衬底，所述第一衬底包括有源区；接合于所述有源区表面的晶体管器件，所述晶体管器件包括：发射层、基层和集电层，所述发射层包括相对的第一侧和第二侧，所述基层位于所述第一侧，所述集电层位于所述第一侧，所述基层位于所述集电层与所述发射层之间；所述第一衬底位于所述第一侧，所述第一衬底与所述发射层位于所述基层和所述集电层两侧，所述发射层、所述基层和集电层在所述第一衬底上的投影面积沿第二侧至第一侧的方向递减。通过减小集电层的面积以减小基极?集电极电容Cbc，进而提高了晶体管的截止频率fT与最大振荡频率fm；晶体管器件面向第一衬底，提升晶体管器件的散热效果以及工作性能。
专利主权项内容
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底包括有源区；接合于所述有源区表面的晶体管器件，所述晶体管器件包括：发射层、基层和集电层，所述发射层包括相对的第一侧和第二侧，所述基层位于所述第一侧，所述集电层位于所述第一侧，所述基层位于所述集电层与所述发射层之间，所述第一衬底位于所述第一侧，所述第一衬底与所述发射层位于所述基层和所述集电层两侧，所述发射层、所述基层和集电层在所述第一衬底上的投影面积沿第二侧至第一侧的方向递减。