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一种K掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法
申请人信息
- 申请人:钠思科(溧阳)新材料有限责任公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市溧阳市昆仑街道码头西街618号1幢608室
- 发明人: 钠思科(溧阳)新材料有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种K掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410223591.2 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810431A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01M4/36 |
| 权利人 | 钠思科(溧阳)新材料有限责任公司 |
| 发明人 | 周权 |
| 地址 | 江苏省常州市溧阳市昆仑街道码头西街618号1幢608室 |
摘要文本
本发明属于钠离子电池材料技术领域，具体涉及一种K掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法。所述K掺杂的聚阴离子正极材料的化学通式可表示为：Na(7?2x?y?nz)VxMnyMn+zK2?x?y?z(PO4)3/C；其中，Mn+包括Li+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Zn2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Al3+、Cr3+、Fe3+、Y3+、La3+、Ga3+、Zr4+、Sn4+、Nb5+或W6+中的一种或多种的组合；C为碳层；所述0.5≤x≤1；所述0.5<y≤1；所述n≥1；所述0≤z≤0.1，且0<2?x?y?z≤0.2，3.7＜7?2x?y?nz≤4.5。本发明所述聚阴离子正极材料通过掺杂一价K元素，从而避免了钠和其他金属元素占位混乱，有效提高了正极材料的放电比容量和循环性能。此外，该聚阴离子正极材料的制备方法简单，制备成本低，工业放大的可行性高。
专利主权项内容
1.一种K掺杂的聚阴离子正极材料，其特征在于，所述K掺杂的聚阴离子正极材料的化学通式为：NaVMnMK (PO)/C；其中，(7-2x-y-nz)xyn+z2-x-y-z43M选自Zn或Al；n+2+3+n≥1，0.98≤x≤1；0.92≤y≤0.98；0≤z≤0.03；且0.02≤2-x-y-z≤0.08，4.02＜7-2x-y-nz≤4.08。