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一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司
- 申请人地址:221005 江苏省徐州市高新技术产业开发区康宁路1号高科金汇大厦南楼605-3室
- 发明人: 汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410051377.3 |
| 申请日 | 2024/1/15 |
| 公告号 | CN117577675A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司 |
| 发明人 | 李志菲; 朱焱均; 燕强; 王尧林; 李雨庭 |
| 地址 | 江苏省徐州市高新技术产业开发区康宁路1号高科金汇大厦南楼605-3室; ; |
摘要文本
本发明公开了一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域，该嵌入FRD的IGBT器件的制造方法，提供N型掺杂的衬底，衬底中具有沟槽型栅极结构，在沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区，还在第二P型掺杂区靠近沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区，且第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触；位于第二P型掺杂区背离沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环，在保护环的外围形成一边缘电场终止区。通过排布FRD和IGBT的结构，提高了器件集成度，由于电场截止层的存在，不需要使用很厚的衬底作为缓冲区来承受电压。 来自：马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种嵌入FRD的IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型掺杂的衬底，所述衬底中具有沟槽型栅极结构，在所述沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区，还在所述第二P型掺杂区靠近所述沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区，且所述第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与所述沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触；位于所述第二P型掺杂区背离所述沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环，在所述保护环的外围形成一边缘电场终止区，用于定义所述IGBT器件的区域；在所述衬底的背面还形成交替排列的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区，且所述第一P型掺杂区对应所述沟槽型栅极结构的底部形成，其中，在所述沟槽型栅极结构和所述第一P型掺杂区之间还形成有电场截止层，由位于所述电场截止层和所述第二P型掺杂区之间的所述衬底形成缓冲漂移区。