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剥离金属的方法
申请人信息
- 申请人:汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司
- 申请人地址:221005 江苏省徐州市高新技术产业开发区康宁路1号高科金汇大厦南楼605-3室
- 发明人: 汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 剥离金属的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410069712.2 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117594436B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L21/3205 |
| 权利人 | 汉轩微电子制造(江苏)有限公司; 徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙); 芯智想半导体技术(上海)有限公司 |
| 发明人 | 王尧林; 朱焱均; 李志菲; 李雨庭 |
| 地址 | 江苏省徐州市高新技术产业开发区康宁路1号高科金汇大厦南楼605-3室; ; |
摘要文本
本发明提供了一种剥离金属的方法，包括：在半导体基底上形成一层衬垫层，衬垫层覆盖部分半导体基底的表面，衬垫层包括氧化层或氮化层；在露出的半导体基底的表面形成第一光刻胶层并进行曝光处理；在衬垫层和第一光刻胶层的表面形成第二光刻胶层；图案化第二光刻胶层，图案化的第二光刻胶层的纵截面呈上窄下宽的梯形形状，图案化的第二光刻胶层的下表面的面积大于衬垫层的上表面的面积，图案化的第二光刻胶层与衬垫层呈上宽下窄的T字形形状；在半导体基底的表面和图案化的第二光刻胶层的表面形成金属层，金属层和衬垫层之间形成空腔；使用有机液体去除图案化的第二光刻胶层，同时使得位于图案化的第二光刻胶层表面的金属层被剥离。
专利主权项内容
1.一种剥离金属的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成一层衬垫层，所述衬垫层覆盖部分所述半导体基底的表面，所述衬垫层包括氧化层或氮化层；在露出的所述半导体基底的表面形成第一光刻胶层并对所述第一光刻胶层进行曝光处理，所述第一光刻胶层的厚度小于所述衬垫层的厚度；在所述衬垫层的表面和进行曝光处理后的所述第一光刻胶层的表面形成第二光刻胶层；图案化所述第二光刻胶层，图案化的所述第二光刻胶层覆盖所述衬垫层，图案化的所述第二光刻胶层的纵截面呈上窄下宽的梯形形状，图案化的所述第二光刻胶层的下表面的面积大于所述衬垫层的上表面的面积，图案化的所述第二光刻胶层与所述衬垫层呈上宽下窄的T字形形状；在所述半导体基底的表面和图案化的所述第二光刻胶层的表面形成金属层，所述金属层和所述衬垫层之间形成空腔；以及使用有机液体去除图案化的所述第二光刻胶层，同时使得位于图案化的所述第二光刻胶层表面的金属层被剥离。。来自：马 克 团 队