一种半导体晶片表面钝化工艺
申请人信息
- 申请人:江苏环鑫半导体有限公司
- 申请人地址:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区文庄路2号
- 发明人: 江苏环鑫半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体晶片表面钝化工艺 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410026739.3 |
| 申请日 | 2024/1/9 |
| 公告号 | CN117558634B |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/56 |
| 权利人 | 江苏环鑫半导体有限公司 |
| 发明人 | 张纪稳; 李薛民; 路晓瑜; 蔡永军; 孙梅; 吕贺贺; 陈岩 |
| 地址 | 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区文庄路2号 |
摘要文本
一种半导体晶片表面钝化工艺，步骤包括：在半导体晶片上生长一层Poly多晶硅层；在Poly多晶硅层上生长一层保护层；所述在半导体晶片上生长一层Poly多晶硅层的步骤包括：控制生长炉并使其真空度抽到低于20mtorr；通入混合气体，再调整生长炉的真空压力到预设压力，生长一段时间后再关闭混合气体；获得所述Poly多晶硅层；所述混合气体为SiH4和N2O，其中，SiH4的流量为50?150sccm，N2O的流量为5?15sccm；生长炉的预设压力为300?500mtorr，且生长时间为30?50min。本申请一种半导体晶片表面钝化工艺，在晶圆制造过程中，使用Poly多晶硅薄膜与玻璃钝化层作为衬底的保护膜，可使器件承受的最高温度提高到175°，且该器件还具有极低的漏电流性能；明显提高器件的稳定性和可靠性，已提高器件的耐压水平。
专利主权项内容
1.一种半导体晶片表面钝化工艺，其特征在于，步骤包括：在半导体晶片上生长一层Poly多晶硅层；在Poly多晶硅层上生长一层保护层；所述在半导体晶片上生长一层Poly多晶硅层的步骤包括：控制生长炉并使其真空度抽到低于20mtorr；通入混合气体，再调整生长炉的真空压力到预设压力，生长一段时间后再关闭混合气体；获得所述Poly多晶硅层；所述混合气体为SiH和NO，其中，SiH的流量为50-150sccm，NO的流量为5-15sccm；生长炉的预设压力为300-500mtorr，且生长时间为30-50min；4242在通入混合气体之前，还包括：将生长炉的炉温控制在生长温度以内；再对生长炉抽真空；待炉内气体完全被抽出后，关闭真空泵；测试生长炉是否有异常；若无异常，则打开真空泵；若有异常，重复上述步骤；所述生长温度范围为560-600℃；最终获得的所述Poly多晶硅层的厚度为200-500?；所述在Poly多晶硅层上生长一层保护层的步骤包括：控制生长炉的真空度并使其真空度达到低于20mtorr，同时控制生长炉的炉温升至700-800℃，并稳定该温度；通入SiH和NO的混合气体，并使真空压力控制在300-500mtoor并生长一定时间，获得所述保护层；42所述SiH的流量为50-100sccm，NO的流量为100-200sccm；42生长时间为60-90min，所述保护层的厚度为1500-3000?。