源极跟随器以及低压差线性稳压器
申请人信息
- 申请人:瓴芯电子科技(无锡)有限公司
- 申请人地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园A201
- 发明人: 瓴芯电子科技(无锡)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 源极跟随器以及低压差线性稳压器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410155801.9 |
| 申请日 | 2024/2/4 |
| 公告号 | CN117687465A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G05F1/56 |
| 权利人 | 瓴芯电子科技(无锡)有限公司 |
| 发明人 | 吴允栋 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园A201 |
摘要文本
一种源极跟随器及低压差线性稳压器,所述源极跟随器包括:基础源极跟随模块以及电压调整模块,其中:所述基础源极跟随模块,其输入端为所述源极跟随器的输入端,其输出端为所述源极跟随器的输出端;所述电压调整模块,其输入端输入电源电压,其输出端与所述源极跟随器的输出端耦接;所述电压调整模块适于在所述电源电压发生变化时,对所述源极跟随器的输出电压进行相同方向的调整。采用上述方案,低压差线性稳压器的输出电压随电源电压的变换程度减缓。
专利主权项内容
1.一种源极跟随器,应用于低压差线性稳压器,其特征在于,所述源极跟随器包括:基础源极跟随模块以及电压调整模块,其中:所述基础源极跟随模块,其输入端为所述源极跟随器的输入端,其输出端为所述源极跟随器的输出端;所述基础源极跟随模块包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、电流源、三极管、第一NMOS管以及第二NMOS管,其中:所述第一PMOS管,其源极输入电源电压,其栅极与其漏极耦接,其漏极与所述电流源的第一端耦接;所述电流源的第二端接地;所述第二PMOS管,其源极输入所述电源电压,其栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接,其漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接;所述第三PMOS管,其源极输入所述电源电压,其栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接,其漏极与所述第四PMOS管的源极耦接;所述第四PMOS管,其栅极为所述源极跟随器的输入端,输入控制信号,其漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接且为所述源极跟随器的输出端;所述第一NMOS管,其栅极与其漏极耦接,其源极接地;所述第二NMOS管,其栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接,其源极接地;所述三极管,其集电极与所述第三PMOS管的漏极耦接,其基极与所述第四PMOS管的漏极耦接,其发射极接地;所述电压调整模块,其输入端输入电源电压,其输出端与所述源极跟随器的输出端耦接;所述电压调整模块适于在所述电源电压发生变化时,对所述源极跟随器的输出电压进行相同方向的调整;所述电压调整模块包括:第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管以及阻隔模块,其中:所述第五PMOS管,其源极输入所述电源电压,其栅极与其漏极耦接,其漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接;所述第六PMOS管,其源极输入所述电源电压,其漏极与所述基础源极跟随模块的输出端耦接;所述第三NMOS管,其栅极与所述基础源极跟随模块的偏置电流输出端耦接,其源极接地;所述阻隔模块,其第一端与所述第五PMOS管的栅极耦接,其第二端与所述第六PMOS管的栅极耦接。