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一种ONFI PHY的训练方法、ONFI PHY、芯片及电子设备

申请号: CN202410091692.9
申请人: 博越微电子(江苏)有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种ONFI PHY的训练方法、ONFI PHY、芯片及电子设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202410091692.9
申请日 2024/1/23
公告号 CN117762839A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 G06F13/16
权利人 博越微电子(江苏)有限公司
发明人 鲍杰; 刘德启; 王冬梅
地址 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园软件园四期天鹅座C座709室

摘要文本

本发明提供一种ONFI PHY的训练方法、ONFI PHY、芯片及电子设备,涉及闪存时序训练技术领域。本发明通过利用NAND控制器来控制OFI接口上接口数据信号和数据时钟信号的相位关系,来满足对NAND侧tDS/tDH的时序要求,这样可以摆脱传统技术中延迟链的限制,只需要控制器来产生接口控制信号,逻辑量小,响应速度更快,且能够适配不同厂商的NAND FLASH颗粒,适用性高。

专利主权项内容

1.一种ONFI PHY的训练方法,适用于移动设备中的OFI接口NAND,其特征在于,所述训练方法包括以下步骤:根据用户指令,生成接口数据信号、接口控制信号、数据时钟信号,并将接口数据信号、接口控制信号、数据时钟信号发送到OFI接口;OFI接口将接口数据信号和数据时钟信号发送到NAND的输入端,NAND根据接口数据信号和数据时钟信号在不同的输出端口分别生成闪存数据信号和闪存时钟信号;通过改变接口控制信号初始相位来对接口数据信号和数据时钟信号的相位关系进行调整,进而调整闪存数据信号和闪存时钟信号的相位偏差;采集闪存数据信号和闪存时钟信号的相位偏差,并与预设的偏差阈值进行比对,得到满足偏差阈值的接口控制信号。