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一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器

申请号: CN202410155089.2
申请人: 无锡频岢微电子有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器
专利类型 发明申请
申请号 CN202410155089.2
申请日 2024/2/4
公告号 CN117691965A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H03H9/205
权利人 无锡频岢微电子有限公司
发明人 董元旦; 郑琰; 田寒宇; 安苏生
地址 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼510

摘要文本

本发明涉及滤波器领域,具体涉及一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器,包括:通过第二电压源分别调整第一谐振器和第二谐振器的频率以及通过第一电压源调整两个谐振器之外的电场强度,从而使第一谐振器和第二谐振器在不同频率环境下保持稳定的相对带宽。通过改变第三电压源的电压大小,从而改变第三偏置电路中电容的大小,然后通过电容的大小改变两个谐振器之间的电场强度,从而减少电路的损耗,灵活的调整零点的位置。第一谐振器和第二谐振器的尺寸小于SIW腔体谐振器,从而实现了小型化使重构后的滤波器的尺寸变小。。数据由马 克 团 队整理

专利主权项内容

1.一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器,其特征在于,具有:容纳装置(10);第一谐振器(20);第二谐振器(30);两个第一偏置电路;两个第二偏置电路;第三偏置电路(60);第一电压源(70);第二电压源(80);第三电压源(90);其中,所述容纳装置(10)用于容纳所述第一谐振器(20)、所述第二谐振器(30)、所述两个第一偏置电路、所述两个第二偏置电路以及所述第三偏置电路(60),所述两个第一偏置电路、所述两个第二偏置电路与所述第三偏置电路(60)设置在所述第一谐振器(20)、所述第二谐振器(30)的上方,所述第三偏置电路(60)设置在所述两个第二偏置电路之间;其中,所述两个第一偏置电路的输入端分别与所述第一电压源(70)的正极电性连接,所述两个第一偏置电路的第一输出端分别接地,所述第一电压源(70)的负极接地,所述第一电压源(70)和所述两个第一偏置电路用于调整所述第一谐振器(20)与所述第二谐振器(30)电磁混合耦合之外的电场强度;其中,第一个所述第二偏置电路(51)的输入端与所述第二电压源(80)的正极电性连接,第一个所述第二偏置电路(51)的第一输出端与所述第一谐振器(20)电性连接,所述第二电压源(80)的负极接地,第一个所述第二偏置电路(51)的第二输出端接地;其中,第二个所述第二偏置电路(52)的输入端与所述第二电压源(80)的正极电性连接,第二个所述第二偏置电路(52)的第一输出端与所述第二谐振器(30)电性连接,所述第二电压源(80)的负极接地,第二个所述第二偏置电路(52)的第二输出端接地,所述第二电压源(80)和第一个所述第二偏置电路(52)调整所述第一谐振器(20)的频率,所述第二电压源(80)和第二个所述第二偏置电路(52)调整所述第二谐振器(30)的频率;其中,所述第三偏置电路(60)的输入端与所述第三电压源(90)的正极电性连接,所述第三偏置电路(60)的输出端与所述第一谐振器(20)电性连接,所述第三偏置电路(60)的输出端与所述第二谐振器(30)电性连接,所述第三电压源(90)的负极接地;其中,所述第三电压源(90)和所述第三偏置电路(60)调整所述第一谐振器(20)与所述第二谐振器(30)之间电耦合的电场强度。。