一种基于车规LDO的双向快速响应方法及电路
申请人信息
- 申请人:江苏云途半导体有限公司
- 申请人地址:214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢8层808
- 发明人: 江苏云途半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于车规LDO的双向快速响应方法及电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410072667.6 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117590890A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | G05F1/56 |
| 权利人 | 江苏云途半导体有限公司 |
| 发明人 | 陈松; 侯冠男; 陈长华 |
| 地址 | 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢8层808 |
摘要文本
本申请涉及一种基于车规LDO的双向快速响应方法及电路，在该领域中，瞬态响应问题一直是相关设计领域的难题。LDO芯片在正常电压下工作时，外接负载的电流经常出现变化，LDO电路如果对负载的瞬态响应不及时，LDO电路的输出电压会出现较大的波动，会影响芯片的正常工作。本申请提供了一种在不增加复杂电路的前提下，通过复用原有电路结构引入双向快速环路给节点A提供了快速充放电能力，抑制了输出的大幅变化，大大增强了LDO的瞬态响应的方法。本申请还提供了承载上述方法的电路。
专利主权项内容
1.一种基于车规LDO的双向快速响应电路，其特征在于，所述电路包括：误差放大器通过分压网络采集功率管M的反馈电压，使其与基准电压V比较以对功率管M的输出电压V进行直流稳压；其中，分压网络由两个电阻R和R组成；电阻R的一端与功率管M的漏极相连，功率管M的源极与V相连，电阻R的另一端与电阻R的一端相连并产生反馈电压，电阻R的另一端接地；误差放大器的输出端与两个电流源建立的快速环路相连；两个电流源均受到LDO的输出控制；AVDD为芯片内部模拟电压源，并为增加的两个电流源供电；推挽电路包括PMOS管M、PMOS管M、NMOS管M；PMOS管M和PMOS管M的源极分别连接电源电压V，NMOS管M的源极接地，PMOS管M的栅极和漏极分别与PMOS管M的栅极连接，PMOS管M的漏极与NMOS管M的漏极连接；A点通过电容C接地；其中，两个电流源建立的快速环路具体结构为：PMOS管M和PMOS管M的源极分别连接电源电压AVDD；PMOS管M的栅极和漏极分别与PMOS管M的栅极连接；PMOS管M的漏极与NMOS管M的漏极连接；NMOS管M的源极接地；NMOS管M的栅极和漏极分别与NMOS管M的栅极连接；NMOS管M的源极接地；C点和D点通过两个补偿电容C和C连接；其中 M、M、M、M与误差放大器复用，为A点提供推挽电流。PWRREFPWRLDOF1F2F1PWRPWRINF1F2F2P1PWRN1P1PWRINN1P1PWRP1N1<P3P2P2P3P3N3N3N2N3N2C1C2N2N3P2P3