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半导体器件
申请人信息
- 申请人:希科半导体科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215122 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房
- 发明人: 希科半导体科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410109385.9 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117637855A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 希科半导体科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 夏玉山 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房 |
摘要文本
本申请公开一种半导体器件。所述半导体器件包括：底面漏极结构；漂移区，其设置在所述底面漏极结构之上；以及表面结构，其设置在所述漂移区之上；其中，所述漂移区包括水平方向上依次交替设置的第一掺杂柱层和第二掺杂柱层，且所述漂移区在水平方向上被划分为位于两端的两个第一区域以及位于中部的第二区域；所述第一区域内设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在水平方向上相接触，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的下方，且在垂直方向上与所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相接触；所述第二区域内设置有第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂柱层上且与所述第一掺杂柱层相接触。 搜索
专利主权项内容
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：底面漏极结构；漂移区，其设置在所述底面漏极结构之上；以及表面结构，其设置在所述漂移区之上；其中，所述漂移区包括水平方向上依次交替设置的第一掺杂柱层和第二掺杂柱层，且所述漂移区在水平方向上被划分为位于两端的两个第一区域以及位于中部的第二区域；所述第一区域内设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在水平方向上相接触，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的下方，且在垂直方向上与所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相接触；所述第二区域内设置有第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂柱层上且与所述第一掺杂柱层相接触。 （来自 ）