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外延生长方法
申请人信息
- 申请人:希科半导体科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215122 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房
- 发明人: 希科半导体科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 外延生长方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410102618.2 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117637444A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 希科半导体科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 曹雅典 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房 |
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种外延生长方法，包括：将晶圆放置于反应腔，并调节所述反应腔内的压力和温度至预设范围；加入刻蚀气体至所述反应腔，以对所述晶圆的表面进行原位刻蚀；保持所述反应腔内的压力不变，降低所述反应腔内的温度，并加入反应气体至所述反应腔，以在所述晶圆表面生长缓冲层；保持所述反应腔内的温度不变，增加所述刻蚀气体的流量以及所述反应气体的流量，以进行外延层的生长。在上述过程中，降低反应腔内的温度以及增加刻蚀气体的流量可以有效降低外延片的台阶长度和密度，从而减少外延片中缺陷和杂质的产生，提高外延片的表面质量，进而提高器件的长期稳定性和可靠性。 来自
专利主权项内容
1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：将晶圆放置于反应腔，并调节所述反应腔内的压力和温度至预设范围；加入刻蚀气体至所述反应腔，以对所述晶圆的表面进行原位刻蚀；保持所述反应腔内的压力不变，降低所述反应腔内的温度，并加入反应气体至所述反应腔，以在所述晶圆表面生长缓冲层；保持所述反应腔内的温度不变，增加所述刻蚀气体的流量以及所述反应气体的流量，以进行外延层的生长。