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半导体存储容器的清洁方法及清洁系统
申请人信息
- 申请人:江苏芯梦半导体设备有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴中经济开发区东吴南路25号城南科技产业园7幢(2号厂房)1、2层
- 发明人: 江苏芯梦半导体设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体存储容器的清洁方法及清洁系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410167763.9 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117696566A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | B08B9/093 |
| 权利人 | 江苏芯梦半导体设备有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴中经济开发区东吴南路25号城南科技产业园7幢(2号厂房)1、2层 |
摘要文本
本申请实施例涉及一种半导体存储容器的清洁方法及清洁系统。其中，清洁方法包括S21、将容器置于第二清洁腔室内；S22、对第二清洁腔室进行抽真空，使第二清洁腔室的真空度低于第一预设压力值；S23、向第二清洁腔室内以第一体积流量充入气体；S24、向第二清洁腔室内以第二体积流量充入气体，第一体积流量小于第二体积流量，S23期间第二清洁腔室内的最大压力值小于S24期间第二清洁腔室内的最大压力值。本申请实施例提供的清洁方法先小流量气体充入再大流量气体充入，气体分子以较大的速度进入到气孔的同时，将本来位于气孔内的AMC冲出，能够提高AMC的去除效果。
专利主权项内容
1.一种半导体存储容器的清洁方法，其特征在于，所述清洁方法包括：S21、将经过清洗的半导体存储容器置于第二清洁腔室内；S22、在时长T内对所述第二清洁腔室进行抽真空，使所述第二清洁腔室的压力值小于等于第一预设压力值，并使所述第二清洁腔室内的温度保持在40-80℃之间；S22S23、在时长T内，向所述第二清洁腔室内以第一平均体积流量充入气体，并使S23步骤期间所述第二清洁腔室内的最大压力值小于等于第二预设压力值，所述气体为洁净的干燥的压缩气体；S23S24、在时长T内，向所述第二清洁腔室内以第二平均体积流量充入气体，并使S24步骤期间所述第二清洁腔室内的最大压力值小于等于第三预设压力值，所述气体为洁净的干燥的压缩气体；S24其中，所述第一平均体积流量小于所述第二平均体积流量，所述S23步骤期间所述第二清洁腔室内的最大压力值小于所述S24步骤期间所述第二清洁腔室内的最大压力值。