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L3级缓存扩展装置、访问方法、访问装置、设备及介质
申请人信息
- 申请人:苏州元脑智能科技有限公司
- 申请人地址:215128 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
- 发明人: 苏州元脑智能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | L3级缓存扩展装置、访问方法、访问装置、设备及介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410130869.1 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN117667758A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | G06F12/06 |
| 权利人 | 苏州元脑智能科技有限公司 |
| 发明人 | 董培强; 鲁璐; 刘铁军; 张晶威 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢 |
摘要文本
本申请提供一种L3级缓存扩展装置、访问方法、访问装置、设备及介质，涉及存储技术领域，该L3级缓存扩展装置包括：FPGA芯片、SRAM和CXL接口，SRAM作为L3级扩展缓存的存储器；FPGA芯片与SRAM相连，FPGA芯片内置CXL接口；FPGA芯片的固件被配置为：通过CXL接口接收CPU芯片发送的CXL.CACHE访问命令，响应CXL.CACHE访问命令，访问L3级扩展缓存。由于L3级扩展缓存是在CPU芯片外扩展的，不受CPU芯片尺寸、功耗等因素的限制；并且，CXL接口支持CXL.CACHE协议，可以保证L3级扩展缓存与主存之间数据的一致性；因此，本申请可以实现在CPU芯片外扩展L3级缓存。 百度马 克 数据网
专利主权项内容
1.一种L3级缓存扩展装置，其特征在于，包括：现场可编程逻辑门阵列FPGA芯片、静态随机存储器SRAM和CXL接口，所述SRAM作为L3级扩展缓存的存储器；其中，所述FPGA芯片与所述SRAM相连，所述FPGA芯片内置所述CXL接口；所述FPGA芯片的固件被配置为：通过所述CXL接口接收CPU芯片发送的CXL.CACHE访问命令，响应所述CXL.CACHE访问命令，访问所述L3级扩展缓存。