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一种半导体装置和制造方法
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体装置和制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410089111.8 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117613074A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L29/45 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 李长安; 赵起越; 刘勇 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
摘要文本
本发明提供一种半导体装置和制造方法，该半导体装置包括：基板；第一氮化物半导体层设置于基板上；第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上；介电层设置于第二氮化物半导体层上，其中介电层界定欧姆接触窗口，欧姆接触窗口具有第一侧及相对于第一侧的第二侧；其中第二氮化物半导体层包含第一离子注入区和第二离子注入区，第一离子注入区设置邻近于欧姆接触窗口的第一侧；及第二离子注入区设置邻近于欧姆接触窗口的第二侧。本发明通过欧姆接触窗口界定离子注入区，离子注入区内的离子与扩散后的欧姆金属离子形成合金，避免了欧姆金属离子在第二氮化物半导体层内的完全沉积，使得整体的欧姆接触电阻降低，增强了器件整体的可靠性。
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：基板；第一氮化物半导体层设置于所述基板上；第二氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层上；介电层设置于所述第二氮化物半导体层上，其中所述介电层界定欧姆接触窗口，所述欧姆接触窗口具有第一侧及相对于所述第一侧的第二侧；其中所述第二氮化物半导体层包含第一离子注入区和第二离子注入区，所述第一离子注入区设置邻近于所述欧姆接触窗口的所述第一侧；及所述第二离子注入区设置邻近于所述欧姆接触窗口的所述第二侧。