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半导体器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410245527.4 |
| 申请日 | 2024/3/5 |
| 公告号 | CN117832266A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 韩晨彬; 倪景华; 余仁旭; 周绍珂; 徐磊 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
摘要文本
本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：衬底、外延结构、栅极结构、介质层及欧姆接触结构；所述外延结构设置于所述衬底上，所述栅极结构设置于所述外延结构远离所述衬底的一面；所述介质层覆盖所述栅极结构；所述介质层形成有开孔，所述开孔暴露所述外延结构；所述欧姆接触结构设置于所述开孔内且沿所述开孔的内壁延伸。本发明的半导体器件具有较高的击穿电压。
专利主权项内容
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底、外延结构、栅极结构、介质层及欧姆接触结构；所述外延结构设置于所述衬底上，所述栅极结构设置于所述外延结构远离所述衬底的一面；所述介质层覆盖所述栅极结构；所述介质层形成有开孔，所述开孔暴露所述外延结构；所述欧姆接触结构设置于所述开孔内且沿所述开孔的内壁延伸。