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一种几何-晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法

申请号: CN202410171689.8
申请人: 苏州大学
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种几何-晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410171689.8
申请日 2024/2/7
公告号 CN117727826A
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 H01L31/09
权利人 苏州大学
发明人 郝翊宁; 曹国洋; 俞诚程; 杭天奕; 陈承昊; 张成壮; 李孝峰
地址 江苏省苏州市相城区济学路8号

摘要文本

本发明公开了一种几何?晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法,涉及半导体光电探测领域,几何?晶体各向异性耦合的光电探测器包括绝缘层;反射层,其设置于所述绝缘层的底部;以及,耦合组件,其设置于所述绝缘层的顶部,所述耦合组件至少设置有两个且所述耦合组件之间具有间隙;所述耦合组件包括由下往上依次堆叠的金属层、二维材料层以及透明电极层,所述二维材料层具有晶体各向异性;所述二维材料层将所述金属层包覆,所述透明电极层将所述二维材料层包覆。本发明将晶体各向异性与器件几何结构各向异性耦合,将二维材料各向异性的晶体结构及其物理性质与各向异性的几何结构相结合,可显著提高偏振光的性能指标与探测能力。

专利主权项内容

1.一种几何-晶体各向异性耦合的光电探测器,其特征在于:包括,反射层(100);绝缘层(200),其设置于所述反射层(100)的顶部;以及,耦合组件(300),其设置于所述绝缘层(200)的顶部,所述耦合组件(300)至少设置有两个且所述耦合组件(300)之间具有间隙;所述耦合组件(300)包括由下往上依次堆叠的金属层(301)、二维材料层(302)以及透明电极层(303),所述二维材料层(302)具有晶体各向异性;所述二维材料层(302)将所述金属层(301)包覆,所述透明电极层(303)将所述二维材料层(302)包覆。 来自: