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基准电压生成电路和并联电压基准芯片
申请人信息
- 申请人:苏州萨沙迈半导体有限公司; 合肥智芯半导体有限公司; 上海萨沙迈半导体有限公司; 天津智芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市姑苏区锦堂街8号6F
- 发明人: 苏州萨沙迈半导体有限公司; 合肥智芯半导体有限公司; 上海萨沙迈半导体有限公司; 天津智芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基准电压生成电路和并联电压基准芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410140331.9 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117707278A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G05F1/567 |
| 权利人 | 苏州萨沙迈半导体有限公司; 合肥智芯半导体有限公司; 上海萨沙迈半导体有限公司; 天津智芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 王霆; 盖晓峰; 陈洪波; 石刚 |
| 地址 | 江苏省苏州市姑苏区锦堂街8号6F; 安徽省合肥市高新区望江西路900号中安创谷科技园一期A2栋501/502/503/505室; 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区纳贤路60弄2号3层; 天津市滨海新区天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-5-1509 |
摘要文本
本发明公开了一种基准电压生成电路和并联电压基准芯片，所述基准电压生成电路包括：恒流源子电路，恒流源子电路的正极用以连接输入电压，恒流源子电路的负极用以连接外部负载，恒流源子电路被配置为根据输入电压提供恒定的目标电流；参考子电路，参考子电路的第一端与恒流源子电路的负极连接，参考子电路的第二端接地；电流控制子电路，与恒流源子电路的负极和参考子电路的第三端分别连接，被配置为根据目标基准电压调整参考子电路的电流，为外部负载提供所需的基准电压。本发明将并联电压基准芯片的外部电阻换为恒流源，来实现在输入电压变化的情况下，并联电压基准芯片更小的电流、功耗与发热，并且省略了相对繁琐的电阻值计算与选择。
专利主权项内容
1.一种基准电压生成电路，其特征在于，所述电路包括：恒流源子电路，所述恒流源子电路的正极用以连接输入电压，所述恒流源子电路的负极用以连接外部负载，所述恒流源子电路被配置为根据所述输入电压提供恒定的目标电流，其中，所述目标电流大于或等于所述外部负载的最大允许电流与参考子电路的最小静态电流的加和；所述参考子电路，所述参考子电路的第一端与所述恒流源子电路的负极连接，所述参考子电路的第二端接地；电流控制子电路，与所述恒流源子电路的负极和所述参考子电路的第三端分别连接，被配置为根据目标基准电压调整所述参考子电路的电流，为所述外部负载提供所需的基准电压。