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沟槽型半导体器件的多晶回刻方法
申请人信息
- 申请人:苏州同冠微电子有限公司
- 申请人地址:215617 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号
- 发明人: 苏州同冠微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 沟槽型半导体器件的多晶回刻方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410145586.4 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117690787A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 发明人 | 缪新海; 李承浩; 王炜; 尹锺晚; 代华; 严雨婷 |
| 地址 | 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号 |
摘要文本
本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及沟槽型半导体器件的多晶回刻方法，包括如下步骤：设置刻蚀设备的腔体压力为第一腔体压力，射频功率和偏置功率设为零，通入四氟化碳气体，在30秒以内各参数稳定进入下一步处理；在第一腔体压力下，设置射频功率和偏置功率，持续通入四氟化碳气体对硅片进行表面处理；设置刻蚀设备的腔体压力为第二腔体压力，第二腔体压力小于第一腔体压力，射频功率和偏置功率设为零，通入六氟化硫气体，在30秒以内各参数稳定进入下一步处理；在第二腔体压力下，设置射频功率，持续通入小流量六氟化硫气体进行刻蚀至所需厚度。本发明工艺方法可控制批量晶圆多晶回刻的均匀性＜±4%，具有较好的均匀性和一致性。。
专利主权项内容
1.沟槽型半导体器件的多晶回刻方法，其特征在于，包括如下步骤：在表面具有多晶硅层的硅片上采用干法刻蚀对所述多晶硅层进行多晶回刻；所述多晶回刻是在刻蚀设备中批量进行的，具体步骤是：S1、第一稳定步：设置所述刻蚀设备的腔体压力为第一腔体压力，射频功率和偏置功率设为零，通入四氟化碳气体，在30秒以内各参数稳定进入下一步处理；S2、表面处理步：在S1的第一腔体压力条件下，设置射频功率为200W-400W，偏置功率为60W-120W，持续通入四氟化碳气体对所述硅片进行表面处理，得到中间硅片；S3、第二稳定步：设置所述刻蚀设备的腔体压力为第二腔体压力，其中所述第二腔体压力小于所述第一腔体压力，射频功率和偏置功率设为零，撤去四氟化碳气体并通入六氟化硫气体，在30秒以内各参数稳定进入下一步处理；S4、刻蚀：在S3的第二腔体压力条件下，设置射频功率在400W-500W之间，设置偏置功率为零，持续通入六氟化硫气体小于15sccm对所述中间硅片进行刻蚀至所需厚度。。关注微信公众号