一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺
申请人信息
- 申请人:爱特微(张家港)半导体技术有限公司
- 申请人地址:215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号
- 发明人: 爱特微(张家港)半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制备工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410125190.3 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117672865A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 爱特微(张家港)半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 金恩泽; 尹锺晚; 李承浩; 夏凯; 陶磊; 朱世荣 |
| 地址 | 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号 |
摘要文本
本发明涉及碳化硅MOSFET器件制造领域，公开了一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及制备工艺；S1提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底；S2在第一表面形成外延层；S3外延层沉积第一氧化层；S4第一氧化层光刻形成凹槽；S5以凹槽为基准进行刻蚀，形成沟槽；S6去除第一氧化层；S7在外延层和沟槽中形成第二氧化层；S8采用倾斜的方式进行N型掺杂注入，在外延层中形成JFET区；S9在沟槽中沉积多晶硅；S10采用垂直的方式进行P型掺杂注入，在外延层中形成Pwell区；Pwell区覆盖部分JFET区；S11在Pwell区中离子注入并退火，形成N+源区；S12在外延层上制备源极，在第二表面形成漏极，完成制备。
专利主权项内容
1.一种碳化硅沟槽型MOSFET器件的制备工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：S1、提供半导体衬底(1)，且所述的半导体衬底(1)具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；S2、在所述半导体衬底(1)的第一表面(11)上外延生长，形成外延层(2)；S3、在所述外延层(2)的表面沉积第一氧化层(3)；S4、对所述第一氧化层(3)进行光刻，形成若干凹槽(31)；S5、以所述凹槽(31)为基准对所述外延层(2)进行刻蚀，从而在所述外延层(2)中形成若干沟槽(21)；S6、去除所述外延层(2)上残余的第一氧化层(3)；S7、继续氧化层的沉积，以在所述外延层(2)的表面和所述沟槽(21)中形成连续的第二氧化层(4)；S8、采用相对于所述外延层(2)的表面倾斜的方式进行N型掺杂注入，以在所述第二氧化层(4)下方的外延层(2)中形成JFET区(5)；S9、在所述的沟槽(21)中进行多晶硅(6)沉积并平整化；S10、采用相对于所述外延层(2)的表面垂直的方式进行P型掺杂注入，以在所述外延层(2)中形成Pwell区(7)；其中：所述的Pwell区(7)覆盖掉部分JFET区(5)；S11、在所述的Pwell区(7)中进行离子注入并退火，从而形成N+源区(8)；S12、在所述外延层(2)上进行源极的制备，以及在所述半导体衬底(1)的第二表面(12)上形成漏极，完成MOSFET器件的制备。 （） （来 自 ）