具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410082124.2 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117587522A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | C30B35/00 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 克拉乌斯·亚历山大; 陈建明; 范涛礼; 张江涛; 赵文超 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
专利主权项内容
1.一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备，其特征在于，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；所述控制系统用于对所述多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控；所述控制系统包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器；其中，所述信号检测单元用于检测所述多路冷却水管路的一组流量变送器输出的多路高频脉冲信号的通道数是否大于所述可编程逻辑控制器的高速数字输入口的通道数，如是，则控制所述第一多路开关单元连通，将所述多路高频脉冲信号中对应于所述高速数字输入口的通道数的第一多路信号，经由所述第一多路开关单元输入至所述可编程逻辑控制器的高速数字输入口；并且控制所述第二多路开关单元连通，将所述多路高频脉冲信号中对应于超出所述高速数字输入口的通道数的剩余通道数的第二多路信号，经由所述第二多路开关单元输入至所述多路分频单元；所述第一多路开关单元用于基于所述信号检测单元的第一控制信号将所述第一多路信号输入至所述可编程逻辑控制器的高速数字输入口，所述第二多路开关单元用于基于所述信号检测单元的第二控制信号将所述第二多路信号输入至多路分频单元；所述多路分频单元用于将所述第二多路信号转换为多路低频脉冲信号，输入至所述可编程逻辑控制器的低速数字输入口。。