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晶圆切割方法
申请人信息
- 申请人:立芯精密智造(昆山)有限公司
- 申请人地址:215324 江苏省苏州市昆山市锦溪镇百胜路399号
- 发明人: 立芯精密智造(昆山)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆切割方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410171719.5 |
| 申请日 | 2024/2/7 |
| 公告号 | CN117727694A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/78 |
| 权利人 | 立芯精密智造(昆山)有限公司 |
| 发明人 | 任士海; 康文彬 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市锦溪镇百胜路399号 |
摘要文本
本申请涉及一种晶圆切割方法，包括：在衬底背离芯片的一侧粘贴背膜，得到待切割件；对待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道，第一切割道包括第一横向切割道和第一纵向切割道，进行一次切割，得到W个放大网格区，N≥2，W≥4；对放大网格区按照单颗目标芯片的尺寸划分第二切割道，第二切割道包括第二横向切割道和第二纵向切割道，进行二次切割，得到目标芯片。通过一次切割过程中释放部分应力，并得到均匀分布的放大网格区，可提高切割稳定性，再进行二次切割，可有效降低胶膜张力，避免背面崩角或背面隐裂等缺陷，从而提高芯片的机械强度，保证芯片的电气性能和可靠性。
专利主权项内容
1.一种晶圆切割方法，所述晶圆(100)包括衬底(1)及阵列设置在所述衬底(1)上的若干芯片单元(2)，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：在所述衬底(1)背离所述芯片单元(2)的一侧粘贴背膜(10)，得到待切割件；对所述待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道(20)，所述第一切割道(20)包括纵横交错的第一横向切割道(21)和第一纵向切割道(22)，进行一次切割，得到W个放大网格区(40)，其中，放大倍数N≥2，所述放大网格区的数量W≥4；对所述放大网格区(40)按照单颗目标芯片的尺寸划分第二切割道(30)，所述第二切割道(30)包括纵横交错的第二横向切割道(31)和第二纵向切割道(32)，进行二次切割，得到目标芯片；所述第一切割道(20)和所述第二切割道(30)的长度相等，所述第一切割道(20)和所述第二切割道(30)的每一边具有超出所述衬底(1)并向所述背膜(10)延伸的单边刀痕延伸长度H，所述放大倍数N满足：N≤H/A，其中，H为所述背膜(10)上的最大单边刀痕延伸长度，A为所述目标芯片的边长。maxmax