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一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410168348.5 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117702272A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | C30B29/36 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙; 张江涛 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。。
专利主权项内容
1.一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：坩埚部(1)，其底部中央具有向上凹陷的凹部(101)；导气支撑组件(2)，其内部沿轴向设置有气路通道(201)，其一端与所述凹部(101) 的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔(202)；第一加热部(3)，其设置于所述凹部(101)内，沿所述凹部(101)的周向设置，位于所述导气支撑组件(2)和所述坩埚部(1)之间，其与所述导气支撑组件(2)和所述凹部(101)的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与所述凹部(101)的顶部留有第二间隔，其位于所述第一通气孔(202)的下方；所述气路通道(201)、第一通气孔(202)和所述第一间隔相连通。 （来 自 ）