一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410224088.9 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117802573A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | C30B23/00 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 赵文超; 陈建明; 杨洪雨; 范子龙; 张江涛 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。 （更多数据，详见）
专利主权项内容
1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：坩埚筒体(1)，其底部中央设置有环形凹部(101)，所述环形凹部(101)的底部中部向下设置有第一通孔(102)；坩埚底(2)，其形状为圆盘形，其设置于所述环形凹部(101)中，其底面和侧面和所述环形凹部(101)的底面和侧面之间分别留有缝隙；第一转轴(3)，其一端的端部具有外螺纹，其具有所述外螺纹的一端通过所述第一通孔(102)与所述坩埚筒体(1)螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔(301)，所述第二转轴容纳腔(301)与所述第一转轴(3)同轴设置，所述第二转轴容纳腔(301)靠近所述坩埚底(2)的一端设置有开口(3011)；第二转轴(4)，其位于所述第二转轴容纳腔(301)中，其与所述第一转轴(3)同轴设置，其与所述第二转轴容纳腔(301)的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对所述第一转轴(3)独立旋转，其通过所述开口(3011)固定连接于所述坩埚底(2)的底部中央，所述第一间隔与所述缝隙相连通；搅拌部(5)，其设置于所述坩埚底(2)的上部。