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一种硅片自然氧化层去除用辅助装置

申请号: CN202410056667.7
申请人: 昆山科比精工设备有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硅片自然氧化层去除用辅助装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202410056667.7
申请日 2024/1/16
公告号 CN117577564A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 昆山科比精工设备有限公司
发明人 王万生
地址 江苏省苏州市昆山市玉山镇紫竹路1398号

摘要文本

本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置,用于解决现有硅片镀铜的技术尚不成熟,难以实现系统化、批量化的硅片氧化层去除,影响后续硅片的镀铜质量的问题。为本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置,包括:机架,所述机架的左上部安装有氮气吹干清洁段,所述机架的右上部安装有溶液腐蚀清洁段,所述氮气吹干清洁段和溶液腐蚀清洁段相连通。氮气吹干清洁段,可对硅片进行初步清洁,保证了后续氢氧化钾溶液与硅片表面氧化层的反应效果;溶液腐蚀清洁段和摇晃去泡机构,可带动硅片治具整体水平往复晃动,防止气泡粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应,使氢氧化钾溶液与硅片表面的接触更充分,保证了硅片氧化层的腐蚀清洁效果。

专利主权项内容

1.一种硅片自然氧化层去除用辅助装置,其特征在于,包括:机架(1);所述机架(1)的左上部安装有氮气吹干清洁段(101),所述机架(1)的右上部安装有溶液腐蚀清洁段(102),所述氮气吹干清洁段(101)和溶液腐蚀清洁段(102)相连通;所述氮气吹干清洁段(101)内设置有氮气风刀(103),所述溶液腐蚀清洁段(102)内设置有溶液喷管(104);所述氮气吹干清洁段(101)和溶液腐蚀清洁段(102)的前壁内侧和后壁内侧均固定有导轨(105),前后位置相对应的每对所述导轨(105)间均滑动安装有硅片治具(2),硅片治具(2)的上壁置物槽内设置有硅片,所述硅片治具(2)由左至右依次自氮气风刀(103)和溶液喷管(104)的下方通过,溶液腐蚀清洁段(102)内和溶液喷管(104)内均流动设置有氢氧化钾溶液;所述溶液腐蚀清洁段(102)内安装有摇晃去泡机构(3),所述摇晃去泡机构(3)与硅片治具(2)间歇卡接。