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一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法
申请人信息
- 申请人:镭友芯科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215347 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼1107-1110室
- 发明人: 镭友芯科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410108064.7 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117637879A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L31/0232 |
| 权利人 | 镭友芯科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼1107-1110室 |
摘要文本
本发明涉及集成电路制造技术领域，具体公开一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法。该光电器件包括基底，用于支撑和保护所述光电器件；功能层，设置于所述基底上，用于增强反射，加大所述光电器件对特定范围波长的吸收率；纳米天线结构，包括锗基天线本体和引出单元，设置于功能层上；保护结构，设置于功能层与纳米天线结构上面和周边，且与所述基底部分上表面相互接触。本发明提出的高光吸收率低暗电流的锗基光电器件中的纳米光天线结构，利用光散射与表面局域场增强效应，加大锗基光电器件对特定范围波长的吸收率，同时通过设置功能层，进一步加大光电器件对特定范围波长的吸收率。
专利主权项内容
1.一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件，其特征在于，包括：基底，用于支撑和保护所述光电器件；功能层，设置于所述基底上，用于增强反射，加大所述光电器件对特定范围波长的吸收率；纳米天线结构，包括锗基天线本体和引出单元，设置于功能层上；保护结构，设置于功能层与纳米天线结构上面和周边，且与所述基底部分上表面相互接触。