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一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410122723.2 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117646278A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | C30B29/36 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 蔡金荣; 陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
专利主权项内容
1.一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：坩埚部(1)，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口(101)和余料出口(102)；螺旋送料机构(2)，其竖直设置，其通过所述进料口(101)进入所述原料容纳部中；拨料结构(3)，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构(2)上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口(102)；加热部(4)，其设置于所述坩埚部(1)的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。