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一种麦克风传感器及其制备方法
申请人信息
- 申请人:镭友芯科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215347 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼1107-1110室
- 发明人: 镭友芯科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种麦克风传感器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410103350.4 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117641215A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H04R17/00 |
| 权利人 | 镭友芯科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼1107-1110室 |
摘要文本
本发明公开了一种麦克风传感器及其制备方法，半导体衬底，其内部形成贯穿上下表面的开口；第一介质层，位于所述半导体衬底上表面；复合振膜，其包括依次层叠设置的底部电极、第二介质层、下电极层、压电材料层、上电极层，所述复合振膜的边缘位于第一介质层上，覆盖部分第一介质层，中央区域悬置于半导体衬底的开口上方；背电极，所述背电极位于上电极上方，所述背电极和第一介质层上覆盖有第三介质层；背电极、上电极以及第三介质层构成一个空腔，所述背电极对应空腔位置具有振膜开口，通过本方案振膜是复合膜，既作为电容的极板又有压电效应，这样受到声压后，同时产生压电和电容的复合信号，信号强度大，性能好。。搜索
专利主权项内容
1.一种麦克风传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，其内部形成贯穿上下表面的开口；第一介质层，位于所述半导体衬底上表面；复合振膜，其包括依次层叠设置的底部电极、第二介质层、下电极层、压电材料层、上电极层，所述复合振膜的边缘位于第一介质层上，覆盖部分第一介质层，中央区域悬置于半导体衬底的开口上方；背电极，所述背电极位于上电极上方，所述背电极和第一介质层上覆盖有第三介质层；背电极、上电极以及第三介质层构成一个空腔，所述背电极对应空腔位置具有振膜开口。