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局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410232273.2 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117822120A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | C30B29/36 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 赵文超; 陈建明; 杨洪雨; 范子龙; 张江涛 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本发明属于碳化硅晶体生长领域，涉及局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法，包括坩埚部外的石墨发热组件，发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部，石墨发热部具有靠近原料容纳部的下端和靠近坩埚部顶部的上端，若干石墨发热部沿坩埚部的外周分布，相邻石墨发热部之间留有间隔且一体连接，一体连接为第一连接或第二连接，第一连接为相邻的石墨发热部的上端一体连接，第二连接为相邻的石墨发热部的下端一体连接，第一连接和第二连接间隔布置；石墨滑块，其设置于石墨发热部上并与发热部滑动连接，其相对石墨发热部沿坩埚部的轴向方向滑动，可以在晶体生长过程中调节温度梯度，提高晶体质量。
专利主权项内容
1.一种局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚部，所述坩埚部的下部设置有原料容纳部，所述坩埚部的顶部下表面用于安装籽晶，还包括石墨发热组件，所述石墨发热组件设置于所述坩埚部的外侧，其特征在于，所述石墨发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿所述坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部(1)，所述石墨发热部(1)具有靠近原料容纳部的下端和靠近所述坩埚部的顶部的上端，若干所述石墨发热部(1)沿坩埚部的外周分布，相邻所述石墨发热部(1)之间留有间隔，相邻的所述石墨发热部(1)一体连接，所述一体连接为第一连接或第二连接，所述第一连接为相邻的所述石墨发热部(1)的上端一体连接，所述第二连接为相邻的所述石墨发热部(1)的下端一体连接，所述第一连接和所述第二连接间隔布置，通过所述第一连接和所述第二连接依次连接若干个所述石墨发热部(1)；石墨滑块(2)，其设置于所述石墨发热部(1)上并与所述石墨发热部(1)滑动连接，其相对所述石墨发热部(1)沿所述坩埚部的轴向方向滑动。