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晶圆级封装结构和晶圆级封装方法
申请人信息
- 申请人:苏州科阳半导体有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市相城区漕湖街道方桥路568号
- 发明人: 苏州科阳半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆级封装结构和晶圆级封装方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410077810.0 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117594553A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L23/488 |
| 权利人 | 苏州科阳半导体有限公司 |
| 发明人 | 吕军; 朱其壮; 金科; 杨佩佩 |
| 地址 | 江苏省苏州市相城区漕湖街道方桥路568号 |
摘要文本
本申请提供的一种晶圆级封装结构和晶圆级封装方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级封装结构包括晶圆、绝缘层、导电层、保护层和焊球，晶圆上设有电极，绝缘层覆盖在晶圆设有电极的一侧表面；绝缘层上开设有用于露出电极的通孔。导电层设于通孔中，且导电层和电极电连接。保护层覆盖在导电层远离电极的一侧。焊球与保护层电连接。这样设置，可以减少电迁移现象，提高结构可靠性。
专利主权项内容
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：晶圆(101)，所述晶圆(101)上设有电极(102)；绝缘层(104)，所述绝缘层(104)覆盖在所述晶圆(101)设有所述电极(102)的一侧表面；所述绝缘层(104)上开设有用于露出所述电极(102)的通孔；导电层(108)，所述导电层(108)设于所述通孔中，且所述导电层(108)和所述电极(102)电连接；保护层(109)，所述保护层(109)覆盖在所述导电层(108)远离所述电极(102)的一侧；焊球(110)，所述焊球(110)与所述保护层(109)电连接。 更多数据：