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一种用于蚀刻薄层的方法和设备
申请人信息
- 申请人:苏州恩腾半导体科技有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼
- 发明人: 苏州恩腾半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于蚀刻薄层的方法和设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410001136.8 |
| 申请日 | 2024/1/2 |
| 公告号 | CN117766422A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 朴灵绪; 陈建福; 付正超; 高帅; 刘强; 王琪; 陈亮; 金信浩; 韩在善 |
| 地址 | 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼 |
摘要文本
本发明提供了一种用于蚀刻薄层的方法和设备，其方法包括：步骤1：获取蚀刻任务，并根据蚀刻任务基于蚀刻液层对待蚀刻薄层进行蚀刻，同时，实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息与蚀刻液层的第二状态信息；步骤2：将第二状态信息输入至蚀刻分析模型中进行分析，并基于分析结果输出蚀刻校准参数；步骤3：基于蚀刻校准参数对蚀刻液层的浓度进行调整，并实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息对应的第三状态信息，且当第三状态信息与基准状态信息一致时，完成蚀刻任务；保障对待蚀刻薄层进行蚀刻的蚀刻效率、蚀刻准确性以及蚀刻质量。
专利主权项内容
1.一种用于蚀刻薄层的方法，其特征在于，包括：步骤1：获取蚀刻任务，并根据蚀刻任务基于蚀刻液层对待蚀刻薄层进行蚀刻，同时，实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息与蚀刻液层的第二状态信息；步骤2：将第二状态信息输入至蚀刻分析模型中进行分析，并基于分析结果输出蚀刻校准参数；步骤3：基于蚀刻校准参数对蚀刻液层的浓度进行调整，并实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息对应的第三状态信息，且当第三状态信息与基准状态信息一致时，完成蚀刻任务。