← 返回列表
电容结构及电容结构的制作方法
申请人信息
- 申请人:苏州苏纳光电有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室
- 发明人: 苏州苏纳光电有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电容结构及电容结构的制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410198437.4 |
| 申请日 | 2024/2/22 |
| 公告号 | CN117766525A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L23/64 |
| 权利人 | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 发明人 | 费孝斌; 吴海华; 黄寓洋 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室 |
摘要文本
本发明公开了一种电容结构及其制作方法，电容结构包括具有间隔设置的钝化区的衬底以及依次形成于衬底表面的第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层以及第三导电层，其中，第二导电层与衬底在相邻钝化区之间相连通以形成第一电极层，第一导电层与第三导电层相连通以形成第二电极层，第一介质层与第二介质层相连通且第一介质层与钝化区相接触以隔离第一电极层和第二电极层；衬底背离钝化区的表面形成有第一电极；第三导电层的表面形成有第二电极。本发明的电容结构及电容结构的制作方法，增加了介质层和电极层的接触面积，同时又避免了采用电极保护环的方式进行其中一个电极层的引出，大幅度的减小ESR和ESL。。 （更多数据，详见）
专利主权项内容
1.一种电容结构，其特征在于，包括具有间隔设置的钝化区的衬底以及依次形成于所述衬底表面的第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层以及第三导电层，其中，所述第二导电层与所述衬底在相邻钝化区之间的非钝化区域内相连通以形成第一电极层，所述第一导电层与所述第三导电层相连通以形成第二电极层，所述第一介质层与所述第二介质层相连通且所述第一介质层与所述钝化区相接触以隔离所述第一电极层和所述第二电极层；所述衬底背离所述钝化区的表面形成有第一电极；所述第三导电层的表面形成有第二电极。