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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410004679.5 |
| 申请日 | 2024/1/3 |
| 公告号 | CN117525232B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、本征GaN层，N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡子层、第二电子阻挡子层和第三电子阻挡子层；所述第一电子阻挡子层包括依次层叠的第一BP层和第一BGaN层；所述第二电子阻挡子层包括BAlGaN层；所述第三电子阻挡子层包括依次层叠的第二BGaN层和第二BP层。实施本发明，能够在提高发光二极管发光效率的同时降低工作电压。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、本征GaN层，N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡子层、第二电子阻挡子层和第三电子阻挡子层；所述第一电子阻挡子层包括依次层叠的第一BP层和第一BGaN层；所述第二电子阻挡子层包括BAlGaN层；所述第三电子阻挡子层包括依次层叠的第二BGaN层和第二BP层；所述第一BP层的厚度为2nm~4nm；所述第一BGaN层的B组分占比为0.2~0.4，厚度为3nm~6nm；所述BAlGaN层的B组分占比为0.2~0.4，Al组分占比为0.1~0.3，厚度为6nm~12nm；所述第二BGaN层的B组分占比为0.1~0.3，厚度为2nm~4nm；所述第二BP层的厚度为2nm~4nm。