高压Micro-LED芯片及其制备方法

专利主权项内容

1.一种高压Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供第一外延片，所述第一外延片包括第一衬底和依次层叠于所述第一衬底上的第一N型半导体层、第一MQW层和第一P型半导体层；S2、在所述第一外延片上形成刻蚀至所述第一N型半导体层的第一N型孔；S3、在步骤S2得到第一外延片上形成第一N型电极和第一P型电极，所述第一N型电极通过所述第一N型孔与所述第一N型半导体层连接；S4、在步骤S3得到的第一外延片上形成第一键合层，并刻蚀暴露所述第一N型电极和第一P型电极，得到第一中间体；S5、提供第二外延片，所述第二外延片包括第二衬底和依次层叠于第二衬底上的第二N型半导体层、第二MQW层和第二P型半导体层；S6、在所述第二P型半导体层上形成中间电极；S7、在步骤S6得到的第二外延片上形成第二键合层，并刻蚀暴露所述中间电极，得到第二中间体；S8、将所述第一中间体、第二中间体键合，并剥离所述第二衬底，暴露所述第二N型半导体层，得到中间芯片；其中，键合后所述中间电极与所述第一N型电极形成电连接；S9、在所述中间芯片上形成暴露所述第一P型电极的第一P型孔；S10、在步骤S9得到的中间芯片上形成钝化层，并分别在第二N型半导体层和所述第一P型电极的上方开孔，形成第二N型孔和第二P型孔；S11、在步骤S10得到的中间芯片上形成第二N型电极和第二P型电极，所述第二N型电极通过所述第二N型孔与所述第二N型半导体层连接，所述第二P型电极通过第二P型孔与所述第一P型电极连接；S12、剥离所述第一衬底，即得到高压Micro-LED芯片成品。