一种LED外延片及其制备方法

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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种LED外延片及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层；所述复合缓冲层的生长步骤包括：采用PVD工艺在所述衬底上溅射多晶AlN溅射层；采用MOCVD工艺在所述多晶AlN溅射层上以三维模式生长三维AlN过渡层；采用MOCVD工艺在所述三维AlN过渡层上以三维模式生长三维单晶AlGaN层；采用MOCVD工艺在所述三维单晶AlGaN层上以二维模式依次生长二维单晶AlGaN层及二维单晶GaN层。有效降低GaN外延材料与异质衬底之间的晶格失配和热失配，并充分释放GaN外延材料的应力，从而减少GaN外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低位错密度，显著改善外延片材料的质量，提高发光二极管的良率和亮度等性能。