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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410224512.X |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810324A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L33/06 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。其中，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括超晶格层、末阱层和末垒层；所述超晶格层包括交替层叠的势阱层和势垒层，所述势阱层为InGaN层；所述势垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN层、C?Si共掺杂AlGaN层和C掺杂GaN层；所述末阱层为InGaN末阱层，所述末垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN末垒层和C掺杂AlGaN末垒层。实施本发明，能够提高载流子在有源层的辐射复合效率，从而提高发光二极管的发光效率。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括超晶格层、末阱层和末垒层；所述超晶格层包括交替层叠的势阱层和势垒层，所述势阱层为InGaN层；所述势垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN层、C-Si共掺杂AlGaN层和C掺杂GaN层；所述末阱层为InGaN末阱层，所述末垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN末垒层和C掺杂AlGaN末垒层。