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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410101775.1 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117637954A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L33/16 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘春杨; 胡加辉; 金从龙; 顾伟 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述P型半导体层为周期性结构，周期数为3~25，每个周期均包括依次层叠的第一P型GaN层、第二P型GaN层和二维InSe层；其中，所述第一P型GaN层中GaN为立方闪锌矿结构，所述第二P型GaN层中GaN为六方纤锌矿结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，降低其工作电压。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其特征在于，所述P型半导体层为周期性结构，周期数为3~25，每个周期均包括依次层叠的第一P型GaN层、第二P型GaN层和二维InSe层；其中，所述第一P型GaN层中GaN为立方闪锌矿结构，所述第二P型GaN层中GaN为六方纤锌矿结构。。