一种发光二极管外延片及制备方法

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本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述有源层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次沉积在所述第一半导体层上的极化调控层、第一量子阱子层、第二量子阱子层及晶格匹配层，其中，在沉积完所述第二量子阱子层后，保持沉积所述第二量子阱子层的温度、压力及气氛停顿预设时间后沉积所述晶格匹配层，所述极化调控层为In渐变P型InxGa1?xN层，所述In渐变P型InxGa1?xN层的In的组分逐渐上升，提高发光二极管发光效率。