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一种深紫外发光二极管及制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种深紫外发光二极管及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410160162.5 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117712253A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明提供了一种深紫外发光二极管及制备方法，深紫外发光二极管包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层的复合层和n型InGaN层，所述复合层包括按预设周期交替沉积在所述非掺杂GaN层上的Si3N4层、n型AlGaN层、InN层。本发明的复合n型GaN层，可以阻挡位错向外延层延伸，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电及非辐射复合。 马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层的复合层和n型InGaN层，所述复合层包括M个周期结构，所述周期结构包括交替沉积在所述非掺杂GaN层上的SiN层、n型AlGaN层、InN层。34