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GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410166224.3 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117727773A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑文杰; 程龙; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体器件领域。其中，GaN基HEMT外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的高阻层、沟道层、势垒层和盖帽层；所述高阻层包括依次层叠于所述衬底上的第一子层和第二子层；所述第一子层包括交替层叠的P型AlGaN层和Ga2O3层，所述第二子层包括交替层叠的BGaN层和(AlGa)2O3层。实施本发明，可有效减少漏电通道，提升器件可靠性。
专利主权项内容
1.一种GaN基HEMT外延片，包括衬底，依次层叠于衬底上的高阻层、沟道层、势垒层和盖帽层；其特征在于，所述高阻层包括依次层叠于所述衬底上的第一子层和第二子层；所述第一子层包括交替层叠的P型AlGaN层和GaO层，其周期数为5~15；所述P型AlGaN层的厚度为10nm~30nm，其掺杂浓度为1×10cm~1×10cm，Al组分占比为0.2~0.7；所述GaO层的厚度为10nm~30nm；2315-318-323所述第二子层包括交替层叠的BGaN层和(AlGa)O层，其周期数为5~15；所述BGaN层的厚度为5nm~20nm，其B组分占比为0.1~0.3；所述(AlGa)O层的厚度为15nm~30nm，其Al组分占比为0.2~0.7。2323