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一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410147088.3 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117691019A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L33/32 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明提供一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法，所述P型GaN层发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的半导体层、P型GaN层及P型接触层，所述P型GaN层包含依次沉积在所述半导体层上的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层，其中，所述第一子层为AlxInyGazN层，所述第二子层为AljInkN层，所述AlxInyGazN层的x+y+z=1，所述AlxInyGazN层的Al/In比值1?100，所述AlxInyGazN层的Al/In比值与所述AljInkN层的Al/In比值相同，所述AlxInyGazN层的Ga组分沿其沉积方向逐渐下降，提高发光二极管发光效率。
专利主权项内容
1.一种P型GaN层发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的半导体层、P型GaN层及P型接触层，所述P型GaN层包含依次沉积在所述半导体层上的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层，其中，所述第一子层为AlInGaN层，所述第二子层为AlInN层，所述AlInGaN层的x+y+z=1，所述AlInGaN层的Al/In比值1-100，所述AlInGaN层的Al/In比值与所述AlInN层的Al/In比值相同，所述AlInGaN层的Ga组分沿其沉积方向逐渐下降。xyzjkxyzxyzxyzjkxyz