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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410095540.6 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117613167B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L33/44 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑文杰; 程龙; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。其中，所述发光二极管外延片包括Si衬底及依次层叠于所述Si衬底上的抗静电层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述抗静电层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括周期性交替层叠的BN层和AlN层，所述第二子层为Ga2O3层，所述第三子层包括周期性交替层叠的(AlGa)2O3层和GaN层，所述(AlGa)2O3层的Al组分占比为0.3~0.7。本发明的抗静电层能够减少缺陷的产生，减少漏电通道，从而提高发光二极管的抗静电能力和发光效率。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括Si衬底及依次层叠于所述Si衬底上的抗静电层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述抗静电层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括周期性交替层叠的BN层和AlN层；所述第二子层为GaO层；23所述第三子层包括周期性交替层叠的(AlGa)O层和GaN层，所述(AlGa)O层的Al组分占比为0.3~0.7。2323 数据由马 克 数 据整理