氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

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本发明涉及半导体，具体公开一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括衬底及外延层，所述外延层包括N型复合层，所述N型复合层包括沿外延方向依次设置的第一N型层及第二N型层，所述第一N型层为掺Si的N型GaN层，所述第二N型层为周期性依次交替层叠的掺Ge的InaGa1?aN层及掺Ge的BbGa1?bN层，所述第一N型层的Si掺杂浓度高于所述第二N型层的Ge掺杂浓度，通过N型复合层的设置，有效延缓电子的迁移速率，帮助电流的横向扩展，减小电流拥挤效应，减少漏电通道，并取消电子阻挡层，提高电子与空穴在多量子阱层的空间重合度，进而提升LED的发光效率，降低其工作电压。